Neue kostengünstigere Speicherlösung für 5G-Mobilfunkmodems

Das neue Multi-Chip-Paket 2Gb+2Gb NAND+LPDDR4x – Einführung von ultraschnellem drahtlosem Breitband

Um den Hochgeschwindigkeitsbetrieb und hohe Datenübertragungsraten zu unterstützen, benötigt ein drahtloses Mobilfunkmodem eine fortschrittliche Basisbandprozessorarchitektur, die einen schnellen Hauptspeicher mit ausreichender Kapazität zur Speicherung der großen Codebasis der Protokollsoftware des Modems beinhaltet.

Die heute auf dem Markt befindlichen 5G-Modems sind in der Lage, diese Architektur mit einem Hardware-Design zu implementieren, das eine Kombination aus 1,8V NAND-Flash und 1,8V Low-Power DDR4x (LPDDR4x) Geräten in einem einzigen Multi-Chip-Gehäuse (MCP) beinhaltet.

Der LPDDR5 ist zwar die neueste Version der Low-Power synchronen DRAM (SDRAM) Hauptspeichertechnologie. Die nächste Generation der Technologie LPDDR4x ist dagegen weit verbreitet. In 5G-Modems bietet es die Kombination aus Niedrigleistungsbetrieb und hohen Datenübertragungsraten, die von den mobilen Prozessorchipsätzen von Herstellern wie Qualcomm, Samsung, Huawei und Mediatek gefordert werden.

Das neue 1,8V 2Gb+2Gb NAND Flash und LPDDR4x Speicherprodukt von Winbond ist ein kompaktes 8,0 x 9,5 x 0,8mm Multi-Chip-Paket (MCP). Der neue W71NW20KK1KW, der robusten Single Level Cell (SLC) NAND-Flash und schnellen, stromsparenden LPDDR4x-Speicher kombiniert, bietet ausreichend Speicherkapazität für 5G-Mobilfunkmodems, die für den Einsatz als Customer Premises Equipment (CPE) in Haus und Büro vorgesehen sind.

Während mobile 5G-Modems typischerweise größere Speicherdichten benötigen, können statische 5G CPE-Modems mit Speicherkapazitäten von 2Gb NAND/2Gb DRAM perfekt funktionieren. Durch das Angebot dieser Speicherkombination in einem kompakten Einzelgehäuse ermöglicht das W71NW20KKK1KW von Winbond den Herstellern von 5G-Modems, die Systemanforderungen von CPE-Einheiten mit möglichst geringen Material- und Produktionskosten zu erfüllen.

Es wird erwartet, dass die Einführung einer neuen Generation kostenoptimierter 5G CPE-Geräte mit dem W71NW20KK1KW dazu beitragen wird, die Akzeptanz von 5G als Alternative zu Kupfer- oder optischen xDSL-Festnetzanschlüssen in der letzten Meile von Hochgeschwindigkeitsbreitbandnetzen zu beschleunigen.

Der W71NW20KKK1KW ist ein 149-Kugeln Ball Grid Array (BGA) MCP, bestehend aus einem 2Gb SLC NAND Flash Chip und einem 2Gb LPDDR4x DRAM Chip. Der robuste SLC NAND Flash bietet exzellente Langlebigkeit und hohe Datenintegrität. Der SLC NAND benötigt nur 4-Bit-ECC, um eine hohe Datenintegrität zu erreichen, aber die 2KB+128B Seitengröße des Geräts bietet genügend Platz für die Verwendung von 8-Bit-ECC.

Der W71NW20KKK1KW hat einen 8-Bit-Bus und ist in Blöcken von 64 Seiten organisiert. Die Leistungsdaten des NAND-Werkzeugs beinhalten eine maximale Seitenlesezeit von 25µs und eine typische Seitenprogrammzeit von 250µs.

Der LPDDR4x DRAM-Die, der mit einer hohen Frequenz von 1866 MHz arbeitet, verfügt über eine LVSTL_11-Schnittstelle und acht interne Banken für den gleichzeitigen Betrieb. Es bietet eine Datenrate von bis zu 4267MT/s und unterstützt die schnellen Datenübertragungsraten, die von 5G-Mobilfunknetzen angeboten werden.

 

_Features:

  • Dichte: 2Gbit (Single Chip Lösung)
  • Vcc : 1,7V bis 1,95V
  • Busbreite: x8
  • Betriebstemperatur Industrie: -40°C bis 85°C
  • Seitengröße:2.176 Byte (2048 + 128 Byte)
  • Blockgröße: 64 Seiten (128K + 8K Bytes)
  • Geringste Leistungsaufnahme

    • Lesen:13mA (typ.)
    • Programm/Löschung: 10mA (typ.)
    • CMOS-Standby: 10uA (typ.)

  • Datenbreite: x16
  • Taktfrequenz: bis zu 2133 MHz2
  • Schnittstelle: LVSTL_11